报告题目:SiC功率半导体芯片与封装的进展与技术展望
报告人 : 教授
东莞清芯半导体科技有限公司创始人
时间:2021年5月26日09:00-10:00
地点: 新主楼G1012会议室
主办:哈尔滨理工大学头雁团队
承办: 新能源电机系统及关键材料创新中心
汽车电子驱动力控制与系统集成教育部工程研究中心
报告人为东莞清芯半导体科技有限公司创始人,东莞理工国际微电子学院院长,松山湖材料实验室双聘教授。长期致力于宽禁带半导体(SiC、GaN)功率半导体芯片的研究和产业化,曾担任西安交通大学电信学院/电气学院特聘教授,西安交通大学能源转换器件研究中心主任,美国GE全球研究中心主任工程师。拥有美国和国际发明专利40多项,中国发明专利10多项,发表100余篇学术论文,是IEEE功率器件与电路技术委员会委员,功率半导体器件与电路国际会议(ISPSD)和SiC材料与器件国际会议(ICSCRM)技术委员会成员。