报告题目：SiC功率半导体芯片与封装的进展与技术展望
报 告 人：教授、东莞清芯半导体科技有限公司创始人
时间：2021年5月26日09：00-10：00
地点: 新主楼G1012会议室
主办：哈尔滨理工大学头雁团队
承办：
新能源电机系统及关键材料创新中心
汽车电子驱动力控制与系统集成教育部工程研究中心
哈理工电气与电子工程学院
报告人为东莞清芯半导体科技有限公司创始人，东莞理工国际微电子学院院长，松山湖材料实验室双聘教授。长期致力于宽禁带半导体（SiC、GaN）功率半导体芯片的研究和产业化，曾担任西安交通大学电信学院/电气学院特聘教授，西安交通大学能源转换器件研究中心主任，美国GE全球研究中心主任工程师。拥有美国和国际发明专利40多项，中国发明专利10多项，发表100余篇学术论文，是IEEE功率器件与电路技术委员会委员，功率半导体器件与电路国际会议（ISPSD）和SiC材料与器件国际会议（ICSCRM）技术委员会成员。
